集成電路芯片在制成量產(chǎn)之前是要進(jìn)行驗(yàn)證的，驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)是否正確和符合規(guī)范。驗(yàn)證的過(guò)程中呢，主要進(jìn)行功能測(cè)試和電氣特性測(cè)試。

集成電路芯片功能測(cè)試是測(cè)試輸入激勵(lì)與響應(yīng)的一致性。

集成電路芯片電氣測(cè)試分為直流和交流特性測(cè)試兩種。集成電路芯片直流測(cè)試主要是對(duì)短路、開(kāi)路、最大電流、漏電流、輸出驅(qū)動(dòng)電流和開(kāi)啟電平的測(cè)試。集成電路芯片交流特性主要是對(duì)傳輸延時(shí)、建立和保持時(shí)間、速度、訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間等特性的測(cè)試。

集成電路芯片的量產(chǎn)測(cè)試：在芯片量產(chǎn)之前，每個(gè)芯片均要經(jīng)過(guò)此測(cè)試，要求測(cè)試的時(shí)間段，因此只能做go/no go測(cè)試，不做錯(cuò)誤診斷。

集成電路芯片老化測(cè)試：測(cè)試芯片的可靠性，采用各種加速因子來(lái)模擬器件長(zhǎng)期的失效模型，常用的有加高溫加高壓等。

集成電路芯片（添加鏈接:http://m.nkfboao.cn/products.aspx）在進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候使用的儀器有測(cè)試儀、故障模型等。

下邊主要進(jìn)行這兩種儀器的介紹。

集成電路芯片測(cè)試儀：測(cè)試集成電路的儀器，它負(fù)責(zé)按照測(cè)試向量給集成電路加激勵(lì)，同時(shí)觀測(cè)響應(yīng)。目前，測(cè)試儀一般都是同步的，按照時(shí)鐘節(jié)拍從存儲(chǔ)器中調(diào)入測(cè)試向量。測(cè)試儀的參數(shù)包括：測(cè)試儀通道數(shù)目、測(cè)試儀最小周期、測(cè)試儀最小脈沖寬度、測(cè)試儀支持的激勵(lì)波形。常見(jiàn)的測(cè)試儀有如下的特點(diǎn)：

1）采用同步時(shí)序

2）激勵(lì)的波形有限

3）響應(yīng)的測(cè)試時(shí)刻有限

下圖給出了自動(dòng)測(cè)試儀ATE工作原理。

ATE通常由工作站或者PC機(jī)控制，有一個(gè)或者多個(gè)CPU。測(cè)試系統(tǒng)有一個(gè)或者多個(gè)測(cè)試頭。測(cè)試向量存放在存儲(chǔ)器中，當(dāng)測(cè)試時(shí)，將測(cè)試頭與IC芯片的引腳接觸，然后調(diào)用測(cè)試程序，施加激勵(lì)，并將IC芯片的輸出相應(yīng)于預(yù)期的激勵(lì)進(jìn)行比較，如果一致則IC芯片正常，否則IC芯片有誤。

集成電路芯片故障模型：制造缺陷會(huì)導(dǎo)致IC芯片無(wú)法正常工作。制造缺陷通常包括硅片缺陷、光刻缺陷、掩膜缺陷、工藝偏差等，這些會(huì)導(dǎo)致IC芯片出現(xiàn)如下的問(wèn)題：

1）連線(xiàn)與電源或者地短路

2）連線(xiàn)開(kāi)路

3）晶體管的源或者漏極短路

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