單片機(jī)新品速遞！英銳恩推出高性價(jià)比的基于8051內(nèi)核的低功耗增強(qiáng)型8位單片機(jī)EN8F5113，該MCU帶有12位ADC、PWM、SPI、I2C、EUART，內(nèi)置內(nèi)置EEPROM和Flash。

一、單片機(jī)介紹

EN8F5113單片機(jī)是通用型1T 8051 Core單片機(jī)（MCU）。在同樣的系統(tǒng)時(shí)鐘下，比傳統(tǒng)的8051運(yùn)行更快速，性能更優(yōu)越，指令代碼完全兼容傳統(tǒng)8051。

EN8F5113保留了標(biāo)準(zhǔn)8051的主要特性，包括256字節(jié)RAM和2個(gè)16位定時(shí)器。芯片還集成了1K字節(jié)外部擴(kuò)展RAM，可靈活配置的EEPROM、RTC和8K Flash，并且可實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中編程（IAP）功能。此外，集成了10路12位帶數(shù)字比較功能的ADC，兩個(gè)自帶波特率發(fā)生器的串口，1路8Mbit/s主從可配的SPI接口，6路16位分辨率的PWM等其他豐富的外設(shè)資源。

由于EN8F5113單片機(jī)內(nèi)部集成了RC振蕩器（IHRC）、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位和低電壓復(fù)位等功能，從而省掉了外部晶振以及復(fù)位等外圍電路，同時(shí)支持多種低功耗工作模式；

總的來說，EN8F5113是一顆高性能、低成本、高可靠性的8位MCU。具有合理的資源配置、極佳的低功耗與超強(qiáng)抗干擾性能，BOM精簡，納安級(jí)別的待機(jī)功耗。

二、EN8F5113單片機(jī)部分詳細(xì)參數(shù)

ROM：8K字節(jié)FLASH；
RAM：Idata 256字節(jié)，Xdata 1024字節(jié)；
EEPROM：128字節(jié)；
12bit ADC；
支持ISP、IAP；
低功耗RTC；
增強(qiáng)型PWM輸出；
兩個(gè)增強(qiáng)型串口：EUART0 / EUART1；
超寬工作電壓：1.8～5.5V；
序列號(hào)：支持96bit唯一序列號(hào)；

時(shí)鐘源：
（1）內(nèi)部高頻 RC振蕩器（IHRC）：16MHz（1.8V～5.5V: ±1% @ -25℃～85℃；±2% @ -45℃～125℃）；
（2）外部時(shí)鐘輸入：2～16MHz；
（3）晶體諧振器：（LOSC）32768Hz、（HOSC）2-16MHz；
（4）多種可配置時(shí)鐘輸出（與BEEP IO復(fù)用）；
（5）I/O口：17 個(gè)雙向CMOS I/O管腳；
（6）定時(shí)器：2個(gè)16位定時(shí)器T0/T1；
（7）1路主從可配置的SPI，接口時(shí)鐘速度為 8M（fsys/2）；
（8）1 路主從可配置的I2C接口。

中斷源：
（1）定時(shí)器 T0/T1；
（2）RTC定時(shí)中斷；
（3）EUART0/EUART1；
（3）ADC；
（4）可配置比較器中斷；
（5）LVD；
（6）PWM周期中斷；
（7）SPI 中斷；
（7）I2C 中斷；
（8）17個(gè)IO中斷；
（9）10個(gè) IO，支持Deep Sleep Mode 下外部喚醒（與 GPIO 復(fù)用）。

復(fù)位源：
（1）POR（上電復(fù)位）；
（2）LVD（掉電復(fù)位）；
（3）看門狗復(fù)位；
（4）PIN Reset。

省電模式：
（1）Active Mode：<250μA/MIPS；
（2）Sleep Mode：TYP<5μA；MAX<10uA；
（3）Deep Sleep Mode：TYP <20nA；MAX<500nA；
（4）內(nèi)建低電壓檢測(cè)模塊（16 step可調(diào)）。

三、封裝方式

EN8F5113單片機(jī)的封裝方式包括：QFN、DFN、SOP、TSSOP，最大支持20 Pin封裝，詳細(xì)封裝腳位請(qǐng)參考下圖：

以上就是英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師分享的8位低功耗8051單片機(jī)EN8F5113。英銳恩專注單片機(jī)應(yīng)用方案設(shè)計(jì)與開發(fā)，提供8位單片機(jī)、16位單片機(jī)、32位單片機(jī)、運(yùn)放芯片和模擬開關(guān)。